货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥114.465592 | ¥114.47 |
25 | ¥104.890797 | ¥2622.27 |
100 | ¥101.05728 | ¥10105.73 |
制造商 Microchip
商标 Microchip Technology
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 6.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 170 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 1.109 g
购物车
02N6661
型号:2N6661
品牌:MICROCHIP
供货:锐单
单价:
1+: | ¥114.465592 |
25+: | ¥104.890797 |
100+: | ¥101.05728 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥114.47