IXTY1R6N100D2
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- 制造商编号：
- IXTY1R6N100D2
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥12 | ￥120.00 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导（Min） 0.65 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 27 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.22 mm
宽度 6.73 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Depletion Mode MOSFET
单位重量 330 mg
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注
IXTY1R6N100D2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTY1R6N100D2
数据手册PDF。
IXTY1R6N100D2
型号：IXTY1R6N100D2
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥12 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00