STB33N60DM6
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- 制造商编号：
- STB33N60DM6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL 600 V, 115 MOHM TYP.,
- 渠道：
- digikey
库存 ：464
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥77.228602 | ￥77.23 |
| 10 | ￥69.315724 | ￥693.16 |
| 100 | ￥56.793561 | ￥5679.36 |
| 500 | ￥48.347819 | ￥24173.91 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STB33N60DM6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
N-CHANNEL 600 V, 115 MOHM TYP.,
包装
-
系列
MDmesh™ M6
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
128mOhm @ 12.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
35nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB33N60DM6 同类别型号
注
STB33N60DM6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STB33N60DM6
数据手册PDF。
STB33N60DM6
型号：STB33N60DM6
品牌：ST
供货：锐单
库存：464 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥77.228602 |
| 10+： | ￥69.315724 |
| 100+： | ￥56.793561 |
| 500+： | ￥48.347819 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥77.23