
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥2.61123 | ¥5222.46 |
| 6000 | ¥2.486856 | ¥14921.14 |
| 10000 | ¥2.372078 | ¥23720.78 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 63 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 66 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR5305TRPBF SP001557082
单位重量 330 mg
购物车
0IRFR5305TRPBF
型号:IRFR5305TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥2.61123 |
| 6000+: | ¥2.486856 |
| 10000+: | ¥2.372078 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00