
货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥19.644716 | ¥15715.77 |
| 1600 | ¥16.820788 | ¥26913.26 |
| 2400 | ¥16.575229 | ¥39780.55 |
| 5600 | ¥15.101875 | ¥84570.50 |
| 20000 | ¥14.733536 | ¥294670.72 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 170 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 170 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SUM85N15-19-E3
型号:SUM85N15-19-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥19.644716 |
| 1600+: | ¥16.820788 |
| 2400+: | ¥16.575229 |
| 5600+: | ¥15.101875 |
| 20000+: | ¥14.733536 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00