货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.9365 | ¥2809.50 |
6000 | ¥0.897665 | ¥5385.99 |
9000 | ¥0.807863 | ¥7270.77 |
30000 | ¥0.795871 | ¥23876.13 |
75000 | ¥0.748043 | ¥56103.22 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E045BN
单位重量 96 mg
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0RQ6E045BNTCR
型号:RQ6E045BNTCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.9365 |
6000+: | ¥0.897665 |
9000+: | ¥0.807863 |
30000+: | ¥0.795871 |
75000+: | ¥0.748043 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00