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起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥2.109363 | ¥5273.41 |
| 5000 | ¥2.008928 | ¥10044.64 |
| 12500 | ¥1.916198 | ¥23952.48 |
| 25000 | ¥1.912552 | ¥47813.80 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 17.3 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 37.5 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.8 ns
上升时间 6.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.1 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 97 mg
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0DMT67M8LPSW-13
型号:DMT67M8LPSW-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥2.109363 |
| 5000+: | ¥2.008928 |
| 12500+: | ¥1.916198 |
| 25000+: | ¥1.912552 |
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