
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥29.372421 | ¥29.37 |
| 10 | ¥24.36993 | ¥243.70 |
| 100 | ¥19.393447 | ¥1939.34 |
| 500 | ¥16.410311 | ¥8205.16 |
| 1000 | ¥13.924058 | ¥13924.06 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 200 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
单位重量 250 mg
购物车
0CSD17311Q5
型号:CSD17311Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥29.372421 |
| 10+: | ¥24.36993 |
| 100+: | ¥19.393447 |
| 500+: | ¥16.410311 |
| 1000+: | ¥13.924058 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.37