货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.323541 | ¥16.32 |
10 | ¥13.320509 | ¥133.21 |
100 | ¥10.359842 | ¥1035.98 |
500 | ¥8.781568 | ¥4390.78 |
1000 | ¥7.153451 | ¥7153.45 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 63 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 66 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR5305TRPBF SP001557082
单位重量 330 mg
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0IRFR5305TRPBF
型号:IRFR5305TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.323541 |
10+: | ¥13.320509 |
100+: | ¥10.359842 |
500+: | ¥8.781568 |
1000+: | ¥7.153451 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.32