货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.18082 | ¥5.18 |
10 | ¥4.033639 | ¥40.34 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E045BN
单位重量 96 mg
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0RQ6E045BNTCR
型号:RQ6E045BNTCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.18082 |
10+: | ¥4.033639 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.18