货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥132.724288 | ¥132.72 |
10 | ¥122.015734 | ¥1220.16 |
25 | ¥116.96212 | ¥2924.05 |
100 | ¥101.154647 | ¥10115.46 |
250 | ¥97.993565 | ¥24498.39 |
500 | ¥91.6714 | ¥45835.70 |
1000 | ¥84.0848 | ¥84084.80 |
2500 | ¥79.027068 | ¥197567.67 |
5000 | ¥75.865985 | ¥379329.92 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 12.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 345 nC
耗散功率 1.39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 37 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK180N25T
型号:IXFK180N25T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥132.724288 |
10+: | ¥122.015734 |
25+: | ¥116.96212 |
100+: | ¥101.154647 |
250+: | ¥97.993565 |
500+: | ¥91.6714 |
1000+: | ¥84.0848 |
2500+: | ¥79.027068 |
5000+: | ¥75.865985 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥132.72