
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥152.178412 | ¥152.18 |
| 10 | ¥139.900246 | ¥1399.00 |
| 25 | ¥134.105897 | ¥3352.65 |
| 100 | ¥115.981436 | ¥11598.14 |
| 250 | ¥112.357017 | ¥28089.25 |
| 500 | ¥105.108177 | ¥52554.09 |
| 1000 | ¥96.409569 | ¥96409.57 |
| 2500 | ¥90.610498 | ¥226526.25 |
| 5000 | ¥86.986077 | ¥434930.38 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 12.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 345 nC
耗散功率 1.39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 37 ns
高度 26.16 mm
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 10 g
购物车
0IXFK180N25T
型号:IXFK180N25T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥152.178412 |
| 10+: | ¥139.900246 |
| 25+: | ¥134.105897 |
| 100+: | ¥115.981436 |
| 250+: | ¥112.357017 |
| 500+: | ¥105.108177 |
| 1000+: | ¥96.409569 |
| 2500+: | ¥90.610498 |
| 5000+: | ¥86.986077 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥152.18