货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.811533 | ¥10.81 |
10 | ¥8.823206 | ¥88.23 |
100 | ¥6.858488 | ¥685.85 |
500 | ¥5.813126 | ¥2906.56 |
1000 | ¥4.735452 | ¥4735.45 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 17.3 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 37.5 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.8 ns
上升时间 6.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.1 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 97 mg
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0DMT67M8LPSW-13
型号:DMT67M8LPSW-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.811533 |
10+: | ¥8.823206 |
100+: | ¥6.858488 |
500+: | ¥5.813126 |
1000+: | ¥4.735452 |
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单价:¥0.00总价:¥10.81