货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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800 | ¥7.599411 | ¥6079.53 |
1600 | ¥6.447949 | ¥10316.72 |
2400 | ¥6.125591 | ¥14701.42 |
5600 | ¥5.895283 | ¥33013.58 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 82 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 106.7 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF2807STRLPBF SP001564210
单位重量 330 mg
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0IRF2807STRLPBF
型号:IRF2807STRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥7.599411 |
1600+: | ¥6.447949 |
2400+: | ¥6.125591 |
5600+: | ¥5.895283 |
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