CSD25304W1015
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- 制造商编号：
- CSD25304W1015
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
- 渠道：
- digikey
库存 ：25
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.15 V
栅极电荷 4.4 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 12 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.400 mg
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注
CSD25304W1015品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
CSD25304W1015
型号：CSD25304W1015
品牌：TI
供货：锐单
库存：25 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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