货期:国内(1~3工作日)
起订量:30
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
30 | ¥113.366331 | ¥3400.99 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 14 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH14N100Q2
型号:IXFH14N100Q2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
30+: | ¥113.366331 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00