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整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 170 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 170 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SUM85N15-19-E3
型号:SUM85N15-19-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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