IPP70N04S406AKSA1
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- 制造商编号：
- IPP70N04S406AKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
- 渠道：
- digikey
库存 ：457
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.557072 | ￥16.56 |
| 10 | ￥14.753093 | ￥147.53 |
| 25 | ￥14.006789 | ￥350.17 |
| 100 | ￥10.506326 | ￥1050.63 |
| 250 | ￥10.406243 | ￥2601.56 |
| 500 | ￥8.905234 | ￥4452.62 |
| 1000 | ￥7.254346 | ￥7254.35 |
| 2500 | ￥7.154262 | ￥17885.65 |
| 5000 | ￥6.50384 | ￥32519.20 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPP70N04S406AKSA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
包装
Tube
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.5mOhm @ 70A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 26µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
32nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2550pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
58W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
封装/外壳
TO-220-3
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注
IPP70N04S406AKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IPP70N04S406AKSA1
数据手册PDF
。
IPP70N04S406AKSA1
型号：IPP70N04S406AKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：457 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.557072 |
| 10+： | ￥14.753093 |
| 25+： | ￥14.006789 |
| 100+： | ￥10.506326 |
| 250+： | ￥10.406243 |
| 500+： | ￥8.905234 |
| 1000+： | ￥7.254346 |
| 2500+： | ￥7.154262 |
| 5000+： | ￥6.50384 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥16.56