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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.604559 | ¥7813.68 |
6000 | ¥2.474345 | ¥14846.07 |
15000 | ¥2.381325 | ¥35719.88 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 4.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 48.7 nC
耗散功率 1.98 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 11.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 7.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMT6005LFG-13
型号:DMT6005LFG-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.604559 |
6000+: | ¥2.474345 |
15000+: | ¥2.381325 |
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