货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥36.758543 | ¥110275.63 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 5.3 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
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0SIHH180N60E-T1-GE3
型号:SIHH180N60E-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥36.758543 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00