货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.469224 | ¥7407.67 |
6000 | ¥2.339333 | ¥14036.00 |
9000 | ¥2.166048 | ¥19494.43 |
30000 | ¥2.144567 | ¥64337.01 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 27.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 53.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.4 ns
正向跨导(Min) 23 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间 39.6 ns
典型接通延迟时间 10.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
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0SQS411ENW-T1_GE3
型号:SQS411ENW-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.469224 |
6000+: | ¥2.339333 |
9000+: | ¥2.166048 |
30000+: | ¥2.144567 |
货期:1-2天
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