货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.513013 | ¥16.51 |
10 | ¥13.696508 | ¥136.97 |
100 | ¥10.898588 | ¥1089.86 |
500 | ¥9.221982 | ¥4610.99 |
1000 | ¥7.824667 | ¥7824.67 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 169 A
漏源电阻 4.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) 187 S
上升时间 5.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24.2 ns
典型接通延迟时间 7.8 ns
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD18532KCS
型号:CSD18532KCS
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.513013 |
10+: | ¥13.696508 |
100+: | ¥10.898588 |
500+: | ¥9.221982 |
1000+: | ¥7.824667 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.51