货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.316895 | ¥3.32 |
10 | ¥2.450168 | ¥24.50 |
30 | ¥2.291824 | ¥68.75 |
100 | ¥2.125146 | ¥212.51 |
500 | ¥2.058474 | ¥1029.24 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.1 nC
耗散功率 3.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMNH6021SK3Q-13
型号:DMNH6021SK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.316895 |
10+: | ¥2.450168 |
30+: | ¥2.291824 |
100+: | ¥2.125146 |
500+: | ¥2.058474 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.32