货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.353378 | ¥4060.13 |
6000 | ¥1.282123 | ¥7692.74 |
9000 | ¥1.187155 | ¥10684.40 |
30000 | ¥1.175415 | ¥35262.45 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 37 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.1 ns
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
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0RF4E060AJTCR
型号:RF4E060AJTCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.353378 |
6000+: | ¥1.282123 |
9000+: | ¥1.187155 |
30000+: | ¥1.175415 |
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