货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥27.059692 | ¥27.06 |
10 | ¥24.291942 | ¥242.92 |
25 | ¥22.922896 | ¥573.07 |
100 | ¥17.877931 | ¥1787.79 |
250 | ¥17.419522 | ¥4354.88 |
500 | ¥15.12748 | ¥7563.74 |
1000 | ¥12.835438 | ¥12835.44 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 258 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 134 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 8.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
购物车
0NTMYS1D2N04CLTWG
型号:NTMYS1D2N04CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥27.059692 |
10+: | ¥24.291942 |
25+: | ¥22.922896 |
100+: | ¥17.877931 |
250+: | ¥17.419522 |
500+: | ¥15.12748 |
1000+: | ¥12.835438 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥27.06