货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.259707 | ¥11.26 |
10 | ¥9.725418 | ¥97.25 |
100 | ¥6.737264 | ¥673.73 |
500 | ¥5.62936 | ¥2814.68 |
1000 | ¥4.790821 | ¥4790.82 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 27.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 53.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.4 ns
正向跨导(Min) 23 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间 39.6 ns
典型接通延迟时间 10.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
购物车
0SQS411ENW-T1_GE3
型号:SQS411ENW-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.259707 |
10+: | ¥9.725418 |
100+: | ¥6.737264 |
500+: | ¥5.62936 |
1000+: | ¥4.790821 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.26