货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.731582 | ¥5.73 |
10 | ¥4.233882 | ¥42.34 |
30 | ¥3.960264 | ¥118.81 |
100 | ¥3.672245 | ¥367.22 |
500 | ¥3.557038 | ¥1778.52 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.1 nC
耗散功率 3.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMNH6021SK3Q-13
型号:DMNH6021SK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.731582 |
10+: | ¥4.233882 |
30+: | ¥3.960264 |
100+: | ¥3.672245 |
500+: | ¥3.557038 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.73