
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.406202 | ¥23.41 |
| 10 | ¥16.384341 | ¥163.84 |
| 100 | ¥12.330325 | ¥1233.03 |
| 500 | ¥9.997051 | ¥4998.53 |
| 1000 | ¥9.030052 | ¥9030.05 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 10.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 66 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ123N08NS3 G SP000443632
单位重量 38.760 mg
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0BSZ123N08NS3GATMA1
型号:BSZ123N08NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.406202 |
| 10+: | ¥16.384341 |
| 100+: | ¥12.330325 |
| 500+: | ¥9.997051 |
| 1000+: | ¥9.030052 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.41