货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.821718 | ¥6.82 |
10 | ¥6.086043 | ¥60.86 |
100 | ¥4.745107 | ¥474.51 |
500 | ¥3.920081 | ¥1960.04 |
1000 | ¥3.094786 | ¥3094.79 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 2.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.35 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 140 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
正向跨导(Min) 190 S
上升时间 92 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 23 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLB4132PBF SP001558130
单位重量 2 g
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0IRLB4132PBF
型号:IRLB4132PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.821718 |
10+: | ¥6.086043 |
100+: | ¥4.745107 |
500+: | ¥3.920081 |
1000+: | ¥3.094786 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.82