货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.603142 | ¥12.60 |
10 | ¥11.08335 | ¥110.83 |
100 | ¥8.493529 | ¥849.35 |
500 | ¥6.714262 | ¥3357.13 |
1000 | ¥5.371409 | ¥5371.41 |
2000 | ¥4.867902 | ¥9735.80 |
5000 | ¥4.577905 | ¥22889.53 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 43 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 53 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0TK30E06N1,S1X
型号:TK30E06N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.603142 |
10+: | ¥11.08335 |
100+: | ¥8.493529 |
500+: | ¥6.714262 |
1000+: | ¥5.371409 |
2000+: | ¥4.867902 |
5000+: | ¥4.577905 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.60