货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.313954 | ¥17.31 |
10 | ¥15.575285 | ¥155.75 |
100 | ¥12.519881 | ¥1251.99 |
500 | ¥10.286527 | ¥5143.26 |
1000 | ¥8.523122 | ¥8523.12 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 52 ns
上升时间 83 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRL640PBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRL640PBF
型号:IRL640PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.313954 |
10+: | ¥15.575285 |
100+: | ¥12.519881 |
500+: | ¥10.286527 |
1000+: | ¥8.523122 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.31