
货期:(7~10天)
起订量:12
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 12 | ¥16.376061 | ¥196.51 |
| 50 | ¥6.141064 | ¥307.05 |
| 100 | ¥4.708006 | ¥470.80 |
| 300 | ¥4.503259 | ¥1350.98 |
| 500 | ¥4.298678 | ¥2149.34 |
| 1000 | ¥4.093933 | ¥4093.93 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 13.7 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4463BDY-GE3
单位重量 750 mg
购物车
0SI4463BDY-T1-GE3
型号:SI4463BDY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 12+: | ¥16.376061 |
| 50+: | ¥6.141064 |
| 100+: | ¥4.708006 |
| 300+: | ¥4.503259 |
| 500+: | ¥4.298678 |
| 1000+: | ¥4.093933 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00