搜索

SI4463BDY-T1-GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SI4463BDY-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
渠道:
digikey

库存 :1611

货期:(7~10天)

起订量:12

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
12 16.376061 196.51
50 6.141064 307.05
100 4.708006 470.80
300 4.503259 1350.98
500 4.298678 2149.34
1000 4.093933 4093.93

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 13.7 A

漏源电阻 20 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.4 V

栅极电荷 56 nC

耗散功率 3 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI4463BDY-GE3

单位重量 750 mg

SI4463BDY-T1-GE3 相关产品

SI4463BDY-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI4463BDY-T1-GE3、查询SI4463BDY-T1-GE3代理商; SI4463BDY-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SI4463BDY-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SI4463BDY-T1-GE3 替代型号 、SI4463BDY-T1-GE3 数据手册PDF

购物车

SI4463BDY-T1-GE3

锐单logo

型号:SI4463BDY-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:1611 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

12+: ¥16.376061
50+: ¥6.141064
100+: ¥4.708006
300+: ¥4.503259
500+: ¥4.298678
1000+: ¥4.093933

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00