
货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥34.54084 | ¥103622.52 |
| 6000 | ¥31.470542 | ¥188823.25 |
| 15000 | ¥30.702969 | ¥460544.53 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 168 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
下降时间 16 ns
上升时间 23 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0SIHH186N60EF-T1GE3
型号:SIHH186N60EF-T1GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥34.54084 |
| 6000+: | ¥31.470542 |
| 15000+: | ¥30.702969 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00