SIHH186N60EF-T1GE3
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- 制造商编号：
- SIHH186N60EF-T1GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH EF PWR PWRPAK 8X8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥67.860473 | ￥67.86 |
| 10 | ￥60.890254 | ￥608.90 |
| 25 | ￥57.569483 | ￥1439.24 |
| 100 | ￥46.054453 | ￥4605.45 |
| 250 | ￥43.495872 | ￥10873.97 |
| 500 | ￥40.937291 | ￥20468.65 |
| 1000 | ￥35.052556 | ￥35052.56 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 168 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
下降时间 16 ns
上升时间 23 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
SIHH186N60EF-T1GE3 同类别型号
注
SIHH186N60EF-T1GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHH186N60EF-T1GE3
数据手册PDF。
SIHH186N60EF-T1GE3
型号：SIHH186N60EF-T1GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥67.860473 |
| 10+： | ￥60.890254 |
| 25+： | ￥57.569483 |
| 100+： | ￥46.054453 |
| 250+： | ￥43.495872 |
| 500+： | ￥40.937291 |
| 1000+： | ￥35.052556 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥67.86