货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.596874 | ¥4790.62 |
6000 | ¥1.515724 | ¥9094.34 |
9000 | ¥1.407454 | ¥12667.09 |
30000 | ¥1.374935 | ¥41248.05 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 128.380 mg
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0SI8499DB-T2-E1
型号:SI8499DB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.596874 |
6000+: | ¥1.515724 |
9000+: | ¥1.407454 |
30000+: | ¥1.374935 |
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