
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.533263 | ¥14.53 |
| 10 | ¥9.102412 | ¥91.02 |
| 100 | ¥5.924982 | ¥592.50 |
| 500 | ¥4.55702 | ¥2278.51 |
| 1000 | ¥4.115667 | ¥4115.67 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 128.380 mg
购物车
0SI8499DB-T2-E1
型号:SI8499DB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.533263 |
| 10+: | ¥9.102412 |
| 100+: | ¥5.924982 |
| 500+: | ¥4.55702 |
| 1000+: | ¥4.115667 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.53