货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.939565 | ¥9.94 |
10 | ¥8.560452 | ¥85.60 |
100 | ¥5.928952 | ¥592.90 |
500 | ¥4.954129 | ¥2477.06 |
1000 | ¥4.216364 | ¥4216.36 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 27.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 23 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SI7619DN-T1-GE3
型号:SI7619DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.939565 |
10+: | ¥8.560452 |
100+: | ¥5.928952 |
500+: | ¥4.954129 |
1000+: | ¥4.216364 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.94