FDMS4D0N12C
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FDMS4D0N12C
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- PTNG 120V N-FET PQFN56
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥14.274101 | ￥42822.30 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 114 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 106 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 144 S
上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 122.136 mg
FDMS4D0N12C 同类别型号
注
FDMS4D0N12C品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FDMS4D0N12C
数据手册PDF。
FDMS4D0N12C
型号：FDMS4D0N12C
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥14.274101 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00