TP65H050WS
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TP65H050WS
- 制造商：
- Transphorm
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥58 | ￥290.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术类参数
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.3 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 119 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 86 ns
典型接通延迟时间 51 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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注
TP65H050WS品牌厂家：Transphorm
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TP65H050WS
数据手册PDF。
TP65H050WS
型号：TP65H050WS
品牌：Transphorm
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥58 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00