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TP65H050WS

Transphorm
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制造商编号:
TP65H050WS
制造商:
Transphorm
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:5

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
5 58 290.00

规格参数

关键信息

制造商 Transphorm

商标 Transphorm

技术类参数

技术 GaN

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 36 A

漏源电阻 60 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3.3 V

栅极电荷 24 nC

耗散功率 119 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

上升时间 11 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 86 ns

典型接通延迟时间 51 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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TP65H050WS

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型号:TP65H050WS

品牌:Transphorm

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

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5+: ¥58

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