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起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥2.853789 | ¥7134.47 |
| 5000 | ¥2.711108 | ¥13555.54 |
| 12500 | ¥2.609161 | ¥32614.51 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 55 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 13.5 S
上升时间 79 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9.9 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0NTD18N06LT4G
型号:NTD18N06LT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥2.853789 |
| 5000+: | ¥2.711108 |
| 12500+: | ¥2.609161 |
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