搜索

NTD18N06LT4G

ON(安森美)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
NTD18N06LT4G
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 2.853789 7134.47
5000 2.711108 13555.54
12500 2.609161 32614.51

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 18 A

漏源电阻 65 mOhms

栅极电压 - 5 V, + 5 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 11 nC

耗散功率 55 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 38 ns

正向跨导(Min) 13.5 S

上升时间 79 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 19 ns

典型接通延迟时间 9.9 ns

外形参数

高度 2.38 mm

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 330 mg

NTD18N06LT4G 相关产品

NTD18N06LT4G品牌厂家:ON ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购NTD18N06LT4G、查询NTD18N06LT4G代理商; NTD18N06LT4G价格批发咨询客服;这里拥有 NTD18N06LT4G中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到NTD18N06LT4G 替代型号 、NTD18N06LT4G 数据手册PDF

购物车

NTD18N06LT4G

锐单logo

型号:NTD18N06LT4G

品牌:ON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2500+: ¥2.853789
5000+: ¥2.711108
12500+: ¥2.609161

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00