
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥71.012049 | ¥71.01 |
| 10 | ¥59.66153 | ¥596.62 |
| 100 | ¥48.262526 | ¥4826.25 |
| 500 | ¥42.899549 | ¥21449.77 |
| 1000 | ¥36.732765 | ¥36732.76 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 114 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 106 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 144 S
上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 122.136 mg
购物车
0FDMS4D0N12C
型号:FDMS4D0N12C
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥71.012049 |
| 10+: | ¥59.66153 |
| 100+: | ¥48.262526 |
| 500+: | ¥42.899549 |
| 1000+: | ¥36.732765 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥71.01