
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.402326 | ¥8.40 |
| 50 | ¥6.761816 | ¥338.09 |
| 100 | ¥5.358686 | ¥535.87 |
| 500 | ¥4.542309 | ¥2271.15 |
| 1000 | ¥3.700196 | ¥3700.20 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 7.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK42A12N1,S4X
型号:TK42A12N1,S4X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.402326 |
| 50+: | ¥6.761816 |
| 100+: | ¥5.358686 |
| 500+: | ¥4.542309 |
| 1000+: | ¥3.700196 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.40