货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.176955 | ¥14.18 |
10 | ¥12.662322 | ¥126.62 |
100 | ¥9.876612 | ¥987.66 |
500 | ¥8.158655 | ¥4079.33 |
1000 | ¥6.440941 | ¥6440.94 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SIS862DN-T1-GE3
型号:SIS862DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.176955 |
10+: | ¥12.662322 |
100+: | ¥9.876612 |
500+: | ¥8.158655 |
1000+: | ¥6.440941 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.18