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NTD18N06LT4G

ON(安森美)
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制造商编号:
NTD18N06LT4G
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 14.268239 14.27
10 12.710623 127.11
100 9.908104 990.81
500 8.184976 4092.49
1000 6.461848 6461.85

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 18 A

漏源电阻 65 mOhms

栅极电压 - 5 V, + 5 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 11 nC

耗散功率 55 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 38 ns

正向跨导(Min) 13.5 S

上升时间 79 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 19 ns

典型接通延迟时间 9.9 ns

外形参数

高度 2.38 mm

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 330 mg

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NTD18N06LT4G

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型号:NTD18N06LT4G

品牌:ON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥14.268239
10+: ¥12.710623
100+: ¥9.908104
500+: ¥8.184976
1000+: ¥6.461848

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