NTD18N06LT4G
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- 制造商编号：
- NTD18N06LT4G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：3267
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.063903 | ￥26.06 |
| 10 | ￥16.562702 | ￥165.63 |
| 100 | ￥11.10292 | ￥1110.29 |
| 500 | ￥8.758685 | ￥4379.34 |
| 1000 | ￥8.004801 | ￥8004.80 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 55 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导（Min） 13.5 S
上升时间 79 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9.9 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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注
NTD18N06LT4G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NTD18N06LT4G
数据手册PDF。
NTD18N06LT4G
型号：NTD18N06LT4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：3267 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥26.063903 |
| 10+： | ￥16.562702 |
| 100+： | ￥11.10292 |
| 500+： | ￥8.758685 |
| 1000+： | ￥8.004801 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥26.06