货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.268239 | ¥14.27 |
10 | ¥12.710623 | ¥127.11 |
100 | ¥9.908104 | ¥990.81 |
500 | ¥8.184976 | ¥4092.49 |
1000 | ¥6.461848 | ¥6461.85 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 55 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 13.5 S
上升时间 79 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9.9 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0NTD18N06LT4G
型号:NTD18N06LT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.268239 |
10+: | ¥12.710623 |
100+: | ¥9.908104 |
500+: | ¥8.184976 |
1000+: | ¥6.461848 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.27