
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥139.249011 | ¥139.25 |
| 10 | ¥128.438449 | ¥1284.38 |
| 100 | ¥109.677921 | ¥10967.79 |
| 500 | ¥99.575926 | ¥49787.96 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 225 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 46 S
上升时间 23 ns
典型关闭延迟时间 86 ns
典型接通延迟时间 64 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFX120N65X2
型号:IXFX120N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥139.249011 |
| 10+: | ¥128.438449 |
| 100+: | ¥109.677921 |
| 500+: | ¥99.575926 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥139.25