
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.382407 | ¥7.38 |
| 10 | ¥6.605888 | ¥66.06 |
| 100 | ¥5.150186 | ¥515.02 |
| 500 | ¥4.254673 | ¥2127.34 |
| 1000 | ¥3.358996 | ¥3359.00 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 56 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.9 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.6 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD18537NKCS
型号:CSD18537NKCS
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.382407 |
| 10+: | ¥6.605888 |
| 100+: | ¥5.150186 |
| 500+: | ¥4.254673 |
| 1000+: | ¥3.358996 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.38