货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥8.440532 | ¥21101.33 |
5000 | ¥8.123219 | ¥40616.10 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 71 nC
耗散功率 119 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 150 ns
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 99 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0RD3L08BGNTL
型号:RD3L08BGNTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥8.440532 |
5000+: | ¥8.123219 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00