
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥147.966626 | ¥147.97 |
| 10 | ¥136.462776 | ¥1364.63 |
| 100 | ¥116.531966 | ¥11653.20 |
| 500 | ¥105.798957 | ¥52899.48 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 20 ns
漏极电流 168 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 900 W
漏源电阻 12.9 mOhms
上升时间 52 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 88 ns
典型接通延迟时间 35 ns
漏源击穿电压 250 V
栅源极阈值电压 3 V
高度 12.22 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 分立半导体模块
类型 GigaMOS Power MOSFET
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXFN180N25T
型号:IXFN180N25T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥147.966626 |
| 10+: | ¥136.462776 |
| 100+: | ¥116.531966 |
| 500+: | ¥105.798957 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥147.97