RF6E065BNTCR
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RF6E065BNTCR
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- RF6E065BN IS LOW ON-RESISTANCE A
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.427511 | ￥10282.53 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 15.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 16.3 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.2 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 7.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF6E065BN
单位重量 7.500 mg
RF6E065BNTCR 同类别型号
注
RF6E065BNTCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RF6E065BNTCR
数据手册PDF。
RF6E065BNTCR
型号：RF6E065BNTCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.427511 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00