
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.209201 | ¥3627.60 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 4.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 47 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.9 ns
上升时间 10.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31.6 ns
典型接通延迟时间 5.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMN1004UFDF-7
型号:DMN1004UFDF-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.209201 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00