货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.471792 | ¥6.47 |
25 | ¥5.54725 | ¥138.68 |
100 | ¥4.969411 | ¥496.94 |
制造商 Microchip
商标 Microchip Technology
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 9 V
漏极电流 330 mA
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 600 mV
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 -
耗散功率 360 mW
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 6.4 ns
正向跨导(Min) 200 mmho
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 1 ns
典型接通延迟时间 3.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0LND01K1-G
型号:LND01K1-G
品牌:MICROCHIP
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.471792 |
25+: | ¥5.54725 |
100+: | ¥4.969411 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.47